2 月 25 日消息传来，半导体行业掀起波澜。三星与长江存储达成一项重要合作，双方签署了 3D NAND 混合键合专利许可协议 。从三星第 10 代 V-NAND（V10）产品起，长江存储的专利技术将融入其中，尤其是在 “混合键合” 技术领域，长江存储的专利将发挥关键作用。
在当下的 3D NAND 领域，混合键合技术至关重要。目前，美国 Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电，是掌握这一关键专利的主要公司。三星在推进 V10 NAND 产品研发时，面对长江存储已构建起的完善专利布局，若想实现技术突破，几乎难以绕开。
权衡之下，三星果断选择通过专利授权的方式与长江存储达成协议。这一决策极具战略眼光，既能有效规避未来可能面临的法律纠纷，降低市场风险，还能借助长江存储成熟的专利技术，加快自身技术研发进程，使 V10 NAND 产品更快推向市场，在激烈的半导体存储市场竞争中抢占先机。这一合作不仅凸显长江存储在半导体专利技术上的雄厚实力，也为全球半导体产业技术交流与合作增添了新的注脚 。
